Биполярных транзисторов существует великое множество, и все они различаются друг от друга по параметрам. Бывает что для ремонта или при конструировании какого нибудь устройства нужно знать параметры транзистора. Или, чтобы подобрать аналог неисправному транзистору. Основные параметры биполярных транзисторов такие как: максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, коэффициент передачи по току, максимальная рассеиваемая мощность, граничная частота. Кроме этих параметров есть еще много других. В документации все параметры обозначаются с помощью сокращений.
| Отечественное буквенное обозначение | Международное буквенное обозначение | Параметр |
| IКБО | ICBO | Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. |
| IЭБО | IEBO | Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. |
| IКЭO | ICEO | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы. |
| IКЭR | ICER | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер. |
| IКЭК | ICES | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера |
| IКЭV | ICEV | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер. |
| IКЭX | ICEX | Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер. |
| IK max | IC max | Максимально допустимый постоянный ток коллектора. |
| IЭ max | IE max | Максимально допустимый постоянный ток эмиттера. |
| IБ max | IB max | Максимально допустимый постоянный ток базы. |
| IК , и max | ICM max | Максимально допустимый импульсный ток коллектора. |
| IЭ , и max | IEM max | Максимально допустимый импульсный ток эмиттера. |
| IКР | — | Критический ток биполярного транзистора. |
| UКБО проб. | U(BR) CBO | Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера. |
| UЭБО проб. | U(BR) ЕBO | Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора. |
| UКЭО проб. | U(BR) CEO | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы. |
| UКЭR проб. | U(BR) CER | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер. |
| UКЭK проб. | U(BR) CES | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. |
| UКЭV проб. | U(BR) CEV | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер. |
| UКЭХ проб. | U(BR) CEX | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер. |
| UКЭО гр | U(L) CEO | Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера. |
| Uсмк | Upt | Напряжение смыкания транзистора. |
| UКЭ нас | UCE sat | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора. |
| UБЭ нас | UBE sat | Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера. |
| UЭБ пл | UEBfl | Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера. |
| UКБ max | UCB max | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база. |
| UКЭ max | UCE max | Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер. |
| UЭБ max | UEB max | Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база. |
| UКЭ, и max | UCEM max | Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер. |
| UКБ, и max | UCBM max | Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база. |
| UЭБ, и max | UEBM max | Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база. |
| P | Ptot | Постоянная рассеиваемая мощность транзистора. |
| Pср | PAV | Средняя рассеиваемая мощность транзистора. |
| Pи | PM | Импульсная рассеиваемая мощность транзистора. |
| PK | PC | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора. |
| PK, τ max | — | Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом. |
| Pвых | Pout | Выходная мощность транзистора. |
| Pи max | PM max | Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность. |
| PK max | PC max | Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора. |
| PK ср max | — | Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора. |
| rb | rbb , rb | Сопротивление базы. |
| rКЭ нас | rCE sat | Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером. |
| с11э, с11б | c11e, c11b | Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| с22э, с22б | c22e, c22b | Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| cк | cc | Емкость коллекторного перехода. |
| cэ | ce | Емкость эмиттерного перехода. |
| fгр | fT | Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером. |
| fmax | fmax | Максимальная частота генерации. |
| fh21э , fh21б | fh21e, fhfe ;fh21b, fhfb | Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. |
| tвкл | ton | Время включения. |
| tвыкл | toff | Время выключения. |
| tзд | td | Время задержки. |
| tнр | tr | Время нарастания. |
| tрас | ts | Время рассасывания. |
| tсп | tf | Время спада. |
| h11э, h11б | h11e, h11b;hie, hib | Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| h21э, h21б | h21e, h21b;hfe, hfb | Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| h12э, h12б | h12e, h12b;hre, hrb | Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| h22э, h22б | h22e, h22b;hoe, hob | Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| |h21э| | |h21e| | Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте. |
| h11Э | h11E, hIE | Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером. |
| h21Э | H11E, HFE | Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала. |
| Y21Э | Y21E | Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером. |
| Y11э, Y11б | Y11e, Y11b;Yie, Yib | Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| Y12э, Y12б | Y12e, Y12b;Yre, Yrb | Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| Y21э, Y21б | Y21e, Y21b;Yfe, Yfb | Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| Y22э, Y22б | Y22e, Y22b;Yoe, Yob | Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно. |
| S11э, S11б, S11к | S11e, S11b, S11c; Sie, Sib, Sic | Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
| S12э, S12б, S12к | S12e, S12b, S12c; Sre, Srb, Src | Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
| S22э, S22б, S22к | S22e, S22b, S22c; Soe, Sob, Soc | Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
| S21э, S21б, S21к | S21e, S21b, S21c; Sfe, Sfb, Sfc | Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно. |
| — | fse, fsb, fsc | Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1, S21b = 1, S21c = 1. |
| Ку, р | Gp | Коэффициент усиления мощности. |
| — | GA, Ga | Номинальный коэффициент усиления по мощности. |
| Кш | F | Коэффициент шума транзистора. |
| τк (r’б Ск) | τc(r’bb Сc) | Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте. |
| Tокр | TA, Tamb | Температура окружающей среды. |
| Tк | Tc , Tcase | Температура корпуса. |
| Tп | Tj | Температура перехода. |
| Rт, п-с | Rthja | Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде. |
| Rт, п-к | Rthjс | Тепловое сопротивление от перехода к корпусу. |
| Rт, к-с | Rthса | Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде. |
| τт, п-с | τthja | Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда. |
| τт, п-к | τthjс | Тепловая постоянная времени переход-корпус. |
| τт, к-с | τthса | Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда. |
Источник: rudatasheet.ru