Сокращения параметров биполярных транзисторов

Сокращения параметров биполярных транзисторов

Биполярных транзисторов существует великое множество, и все они различаются друг от друга по параметрам. Бывает что для ремонта или при конструировании какого нибудь устройства нужно знать параметры транзистора. Или, чтобы подобрать аналог неисправному транзистору. Основные параметры биполярных транзисторов такие как: максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, коэффициент передачи по току, максимальная рассеиваемая мощность, граничная частота. Кроме этих параметров есть еще много других. В документации все параметры обозначаются с помощью сокращений.

Буквенное обозначениеПараметр
ОтечественноеМеждународное
IКБОICBOОбратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБОIEBOОбратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭOICEOОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
IКЭRICERОбратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
IКЭКICESОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
IКЭVICEVОбратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
IКЭXICEXОбратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
IK maxIC maxМаксимально допустимый постоянный ток коллектора.
 IЭ maxIE maxМаксимально допустимый постоянный ток эмиттера.
  IБ max  IB maxМаксимально допустимый постоянный ток базы.
IК , и maxICM maxМаксимально допустимый импульсный ток коллектора.
IЭ , и maxIEM maxМаксимально допустимый импульсный ток эмиттера.
IКРКритический ток биполярного транзистора.
UКБО проб.U(BR) CBOПробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
UЭБО проб.U(BR) ЕBOПробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
UКЭО проб.U(BR) CEOПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
UКЭR проб.U(BR) CERПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭK проб.U(BR) CESПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
UКЭV проб. U(BR) CEVПробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
UКЭХ проб. U(BR) CEXПробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
UКЭО гр U(L) CEOГраничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
UсмкUpt Напряжение смыкания транзистора.
 UКЭ насUCE satНапряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
UБЭ насUBE satНапряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
UЭБ плUEBflПлавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
UКБ maxUCB maxМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
UКЭ maxUCE maxМаксимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
UЭБ max UEB maxМаксимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
UКЭ, и maxUCEM maxМаксимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
UКБ, и maxUCBM maxМаксимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
UЭБ, и maxUEBM maxМаксимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
PPtotПостоянная рассеиваемая мощность транзистора.
 Pср PAVСредняя рассеиваемая мощность транзистора.
PиPMИмпульсная рассеиваемая мощность транзистора.
PK PCПостоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK, τ maxПостоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
PвыхPout Выходная мощность транзистора.
Pи maxPM maxМаксимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
PK maxPC maxМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
PK ср max —Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
rrbb , rbСопротивление базы.
 rКЭ насrCE satСопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
 с11э, с11бc11e, c11bВходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 с22э, с22бc22e, c22bВыходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
cкccЕмкость коллекторного перехода.
cэcЕмкость эмиттерного перехода.
fгр fTГраничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
fmaxfmaxМаксимальная частота генерации.
 fh21э , fh21бfh21e, fhfe ;fh21b, fhfbПредельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
tвклtonВремя включения.
 tвыклtoff Время выключения.
tздtdВремя задержки.
 tнрtrВремя нарастания.
tрасtВремя рассасывания.
 tспtВремя спада.
 h11э, h11бh11e, h11b;hie, hibВходное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h21э, h21бh21e, h21b;hfe, hfbСтатический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 h12э, h12бh12e, h12b;hre, hrbКоэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h22э, h22бh22e, h22b;hoe, hobВыходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
|h21э||h21e|Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
 h11Эh11E, hIEВходное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
  h21Э H11E, HFEСтатический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
 Y21ЭY21E Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
  Y11э, Y11бY11e, Y11b;Yie, YibВходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
 Y12э, Y12бY12e, Y12b;Yre, YrbПолная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y21э, Y21бY21e, Y21b;Yfe, YfbПолная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y22э, Y22бY22e, Y22b;Yoe, YobВыходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S11э, S11б, S11кS11e, S11b, S11c; Sie, Sib, SicКоэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S12э, S12б, S12кS12e, S12b, S12c; Sre, Srb, SrcКоэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S22э, S22б, S22кS22e, S22b, S22c; Soe, Sob, SocКоэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S21э, S21б, S21кS21e, S21b, S21c;   Sfe, Sfb, SfcКоэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
fse, fsb, fscЧастота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S21е = 1,
S21b = 1, S21c = 1.
 Ку, рGpКоэффициент усиления мощности.
GA, GaНоминальный коэффициент усиления по мощности.
КшFКоэффициент шума транзистора.
τк (r’б Ск) τc(r’bb Сc)Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
TокрTA, TambТемпература окружающей среды.
TкTc , TcaseТемпература корпуса.
TпTjТемпература перехода.
Rт, п-сRthjaТепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
Rт, п-кRthjсТепловое сопротивление от перехода к корпусу.
Rт, к-сRthсаТепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
 τт, п-сτthjaТепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τт, п-кτthjсТепловая постоянная времени переход-корпус.
τт, к-сτthсаТепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.

Источник: https://rudatasheet.ru/

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

© 2022 | RRET |
Яндекс.Метрика