RRET - Сокращения параметров биполярных транзисторов

Сокращения параметров биполярных транзисторов

Биполярных транзисторов существует великое множество, и все они различаются друг от друга по параметрам. Бывает что для ремонта или при конструировании какого нибудь устройства нужно знать параметры транзистора. Или, чтобы подобрать аналог неисправному транзистору. Основные параметры биполярных транзисторов такие как: максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, коэффициент передачи по току, максимальная рассеиваемая мощность, граничная частота. Кроме этих параметров есть еще много других. В документации все параметры обозначаются с помощью сокращений.

Отечественное буквенное обозначение	Международное буквенное обозначение	Параметр
I_КБО	I_CBO	Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
I_ЭБО	I_EBO	Обратный ток эмиттера — ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
I_КЭO	I_CEO	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и разомкнутом выводе базы.
I_КЭR	I_CER	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
I_КЭК	I_CES	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера
I_КЭV	I_CEV	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и запирающем напряжении (смещении) в цепи база-эмиттер.
I_КЭX	I_CEX	Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и обратном напряжении база-эмиттер.
I_{K max}	I_C max	Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
I_Э max	I_E max	Максимально допустимый постоянный ток эмиттера.
I_Б max	I_B max	Максимально допустимый постоянный ток базы.
I_{К , и max}	I_CM max	Максимально допустимый импульсный ток коллектора.
I_{Э , и max}	I_EM max	Максимально допустимый импульсный ток эмиттера.
I_КР	—	Критический ток биполярного транзистора.
U_{КБО проб.}	U_{(BR) CBO}	Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{ЭБО проб.}	U_{(BR) ЕBO}	Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
U_{КЭО проб.}	U_{(BR) CEO}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы.
U_{КЭR проб.}	U_{(BR) CER}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭK проб.}	U_{(BR) CES}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и короткозамкнутых выводах базы и эмиттера.
U_{КЭV проб.}	U_{(BR) CEV}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при запирающем напряжении в цепи база-эмиттер.
U_{КЭХ проб.}	U_{(BR) CEX}	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении база-эмиттер и токе коллектор-эмиттер.
U_{КЭО гр}	U_{(L) CEO}	Граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
U_смк	U_pt	Напряжение смыкания транзистора.
U_{КЭ нас}	U_{CE sat}	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при заданных токах базы и коллектора.
U_{БЭ нас}	U_{BE sat}	Напряжение насыщения база-эмиттер при заданных токах базы и эмиттера.
U_{ЭБ пл}	U_EBfl	Плавающее напряжение эмиттер-база — напряжение между эмиттером и базой при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой цепи эмиттера.
U_{КБ max}	U_{CB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
U_{КЭ max}	U_{CE max}	Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{ЭБ max}	U_{EB max}	Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
U_{КЭ, и max}	U_{CEM max}	Максимальное допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер.
U_{КБ, и max}	U_{CBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база.
U_{ЭБ, и max}	U_{EBM max}	Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер-база.
P	P_tot	Постоянная рассеиваемая мощность транзистора.
P_ср	P_AV	Средняя рассеиваемая мощность транзистора.
P_и	P_M	Импульсная рассеиваемая мощность транзистора.
P_K	P_C	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K, τ max}	—	Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом.
P_вых	P_out	Выходная мощность транзистора.
P_{и max}	P_M max	Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
P_K max	P_C max	Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
P_{K ср max}	—	Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора.
r_b	r_bb , r_b	Сопротивление базы.
r_{КЭ нас}	r_{CE sat}	Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером.
с_11э, с_11б	c_11e, c_11b	Входная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
с_22э, с_22б	c_22e, c_22b	Выходная емкость транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
c_к	c_c	Емкость коллекторного перехода.
c_э	c_e	Емкость эмиттерного перехода.
f_гр	f_T	Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
f_max	f_max	Максимальная частота генерации.
f_h21э, f_h21б	f_h21e, f_hfe;f_h21b, f_hfb	Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой.
t_вкл	t_on	Время включения.
t_выкл	t_off	Время выключения.
t_зд	t_d	Время задержки.
t_нр	t_r	Время нарастания.
t_рас	t_s	Время рассасывания.
t_сп	t_f	Время спада.
h_11э, h_11б	h_11e, h_11b;h_ie, h_ib	Входное сопротивление в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_21э, h_21б	h_21e, h_21b;h_fe, h_fb	Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_12э, h_12б	h_12e, h_12b;h_re, h_rb	Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
h_22э, h_22б	h_22e, h_22b;h_oe, h_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
\|h_21э\|	\|h_21e\|	Модуль коэффициента передачи тока транзистора на высокой частоте.
h_11Э	h_11E,h_IE	Входное сопротивление транзистора в режиме большого сигнала для схемы с общим эмиттером.
h_21Э	H_11E,H_FE	Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала.
Y_21Э	Y_21E	Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером.
Y_11э, Y_11б	Y_11e, Y_11b;Y_ie, Y_ib	Входная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_12э, Y_12б	Y_12e, Y_12b;Y_re, Y_rb	Полная проводимость обратной передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_21э, Y_21б	Y_21e, Y_21b;Y_fe, Y_fb	Полная проводимость прямой передачи транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
Y_22э, Y_22б	Y_22e, Y_22b;Y_oe, Y_ob	Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно.
S_11э, S_11б, S_11к	S_11e, S_11b, S_11c; S_ie, S_ib, S_ic	Коэффициент отражения входной цепи транзистора для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_12э, S_12б, S_12к	S_12e, S_12b, S_12c; S_re, S_rb, S_rc	Коэффициент обратной передачи напряжения для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_22э, S_22б, S_22к	S_22e, S_22b, S_22c; S_oe, S_ob, S_oc	Коэффициент отражения выходной цепи транзистора для схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
S_21э, S_21б, S_21к	S_21e, S_21b, S_21c; S_fe, S_fb, S_fc	Коэффициент прямой передачи для схем с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором соответственно.
—	f_se, f_sb, f_sc	Частота, при которой коэффициент прямой передачи равен 1 (S_21е = 1, S_21b = 1, S_21c= 1.
К_{у, р}	G_p	Коэффициент усиления мощности.
—	G_A, G_a	Номинальный коэффициент усиления по мощности.
К_ш	F	Коэффициент шума транзистора.
τ_к(r’_бС_к)	τc(r’_bbС_c)	Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
T_окр	T_A, T_amb	Температура окружающей среды.
T_к	T_c , T_case	Температура корпуса.
T_п	T_j	Температура перехода.
R_{т, п-с}	R_thja	Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.
R_{т, п-к}	R_thjс	Тепловое сопротивление от перехода к корпусу.
R_{т, к-с}	R_thса	Тепловое сопротивление от корпуса к окружающей среде.
τ_{т, п-с}	τ_thja	Тепловая постоянная времени переход-окружающая среда.
τ_{т, п-к}	τ_thjс	Тепловая постоянная времени переход-корпус.
τ_{т, к-с}	τ_thса	Тепловая постоянная времени корпус-окружающая среда.