Ремонт радиоэлектронной техники

Главная Контакты Статьи Новости О сайте Сcылки

Отечественные микросхемы памяти

Справочник по отечественным микросхемам памяти составлен по паспортам заводов изготовителей. Он включает в себя таблицы кратких параметров: микросхем динамических ОЗУ, микросхем статических ОЗУ МОП типа, микросхем биполярных статических ОЗУ, микросхем программируемых ПЗУ, микросхем репрограммируемых ПЗУ с УФ-стиранием, микросхем электрически перепрограммируемых ПЗУ, микросхем программируемой логики (ПЛМ), микросхем FIFO.

Параметры микросхем ОЗУ динамического типа

Обозн.    ф/а  Техн.   Емк.   Tва
 нс 		  Eп 
  В  		 Iпо
 мА 		Вых.  Корпус
КР565РУ1А  2107A  nМОП    4К*1  200 +12/ 5%
 +5/ 5%
 -5/ 5% 		 60
  5
0.1 		 3с.  210А.22-3
КР565РУ1Б  2107A  nМОП    4К*1  300 +12/ 5%
 +5/ 5%
 -5/ 5% 		 60
  5
0.1 		 3с.  210А.22-3
К565РУ5Б 
К565РУ5В 
К565РУ5Г 
К565РУ5Д  		MCM6664 
MCM6664 
MCM6664 
MCM6664  		nМОП   64К*1  120
 150
 200
 250 		 +5/10%
 +5/10%
 +5/ 5%
 +5/ 5% 		 45
 35
 35
 30 		 3с 2103.16-5
КР565РУ6Б 
КР565РУ6В 
КР565РУ6Г 
КР565РУ6Д  		2118-7 
2118-7 
2118-7 
2118-7  		nМОП   16К*1
 16К*1
 16К*1
 16К*1 		 120
 150
 200
 250 		 +5/10%
 +5/10%
 +5/10%
 +5/10% 		 27
 25
 23
 21 		 3с 2103.16-2
К565РУ7В 
К565РУ7Г 
К565РУ7Д  		HM50256 
HM50256 
HM50256  		nМОП  256К*1
256К*1
256К*1 		 150
 200
 250 		 +5/10%
 +5/10%
 +5/10% 		 65
 65
 65 		 3с 2103.16-2
КР565РУ8А 
КР565РУ8Б 
КР565РУ8В 
КР565РУ8Г  		MB81256-10
MB81256-10
MB81256-10
MB81256-10 		nМОП  256К*1
256К*1
256К*1
256К*1 		 100
 120
 150
 200 		 +5/ 5%
 +5/ 5%
 +5/ 5%
 +5/ 5% 		 70
 70
 65
 60 		 3с 238.16-1
КР565РУ9В 
КР565РУ9Г  		MPD411000 
MPD411000  		nМОП    1М*1
  1М*1 		 150
 200 		 +5/ 5%
 +5/ 5% 		 80
 70 		 3с 2107.18-1
 К584РУ4  MK4116-2  nМОП   16К*1  135  +5/     3с.  2103.16-2

Параметры микросхем статических ОЗУ МОП типа

  Обозн.   ф/а Техн.  Емк.  Tва
 нс 		 Eп
 В 		 Iпо
 мА 		 Iпх
 мА 		Вых. Корпус
132РУ1А M2101A-4 nМОП   1К*1  400 +5/10%  76?   ?? 4112.16-2
КР132РУ3А
КР132РУ3Б 		2125 nМОП   1К*1   60
 110 		+5/10% 100
 85 		  3с. 2103.16-6
КР132РУ4А
КР132РУ4Б 		2125AL nМОП   1К*1   33
  45 		+5/10%    45
 45 		3с. 2103.16-2
КР132РУ5А
КР132РУ5Б
КР132РУ5В 		2147 nМОП   4К*1   85
 120
  55 		+5/10% 180
180
180 		 30
 30
 30 		3с. 2104.18-1
КР132РУ6А
КР132РУ6Б 		IMS1400 nМОП  16К*1   45
  70 		+5/10%    20
 20 		3с. 2140Ю.20-3
КР132РУ7 IMS4016 МОП   2К*8  250 +5/           .24-
КМ132РУ8А
КМ132РУ8Б 		2148H nМОП   1К*4   70
 120 		+5/10% 160
160 		 25
 25 		3с. 2104.18-1
КМ132РУ9А
КМ132РУ9Б 		2149H nМОП   1К*4   60
 110 		+5/10% 190
190 		   3с. 2104.18-1
М132РУ10А
М132РУ10Б 		Б/А nМОП  64К*1   55
  70 		+5/  85
 85 		 30
 30 		3с. 2108.22-9
КР132РУ11А
КР132РУ11Б 		TMM2016P hМОП   2К*8  150
 250 		+5/ 140
160 		  3с. 2120.24-13
КР132РУ12А
КР132РУ12Б 		IMS1420-55 nМОП   4К*4   50
  70 		+5/ 140
140 		  3с. 2140Ю.20-2
КР132РУ13А
КР132РУ13Б 		TMM2018D hМОП   2К*8   55
  70 		+5/ 140
140 		  3с. 2142.24-3
КМ132РУ14А
КМ132РУ14Б 		2148H nМОП   1К*4   60
  80 		+5/10% 100
100 		  3с. 2104.18-9
КМ132РУ15А
КМ132РУ15Б 		2149H nМОП   1К*4   55
  70 		+5/10% 100
100 		  3с. 2104.18-9
КМ132РУ16А
КМ132РУ16Б 		2147H nМОП   4К*1   55
  80 		+5/10%  90
 90 		  3с. 2104.18-9
КР188РУ2А
КР188РУ2Б 		CD4061AD КМОП  256*1  500
1000 		+5/10%   2
  2 		0.01
0.01 		3с.  238.16-1
КР537РУ1 IM6508 КМОП   1К*1  300 +5/ 5%  10      238.16-1
КР537РУ2А
КР537РУ2Б 		HMI6504-5 КМОП   4К*1  300
 430 		+5/10%
+5/ 5% 		  0.05
0.5 		3с. 2107.18-4
КР537РУ3А
КР537РУ3Б
КР537РУ3В
КР537РУ3Г 		HM6504-5 КМОП   4К*1  250
 160
 250
 160 		+5/10%  20
 20 		0.01
0.01 		3с. 2107.18-1
 537РУ4А
 537РУ4Б 		HM6504-2 КМОП   4К*1  250
 500 		+5/10%   0.01
0.01 		3с. 4116.18-1
КР537РУ5 HM6514-5 КМОП   1К*4  300             .22
К537РУ6А
К537РУ6Б 		HM6504B-2 КМОП   4К*1  160
 300 		+5/10%   0.05
0.15 		3с.     .18
КР537РУ7 HM6147 КМОП   4К*1   80             .18
КР537РУ8А
КР537РУ8Б 		TC5516
MSM5128 		КМОП   2К*8  220
 400 		+5/ 5%   20
 20 		0.2
0.5 		3с.  239.24-2
537РУ9А
537РУ9Б 		HM6516-2 КМОП   2К*8  240
 420 		+5/10%   1
2 		3с. 4131.24-3
КР537РУ10
КР537РУ10А
КР537РУ10Б 		HM6516-9 КМОП   2К*8  220
  90
 450 		+5/ 5%  60
 60
 60 		0.4
5
5 		3с.  239.24-2
КР537РУ11А
КР537РУ11Б 		Б/А КМОП 256*16  440
 440 		+5/10%   0.03
0.08 		3с.  239.24-2
КР537РУ13
КР537РУ13А 		TC5514AD КМОП   1К*4  200
 120 		+5/10%  25
 25 		0.01
0.01 		3с. 2107.18-1
КР537РУ14А
КР537РУ14Б 		TC5504AD КМОП   4К*1  110
 180 		+5/10%  50
 50 		0.05
0.13 		3с.  427.18-2
К537РУ15А
К537РУ15Б 		HM6504B-2 КМОП   4К*1  100
 220 		+5/10%   0.025
0.1 		3с. 4116.18-1
КР537РУ16А
КР537РУ16Б 		HM6264-15 КМОП   8К*8  150
 300  		+5/   1
2 		3с. 4119.28-6
КР537РУ17 MB8664-15 КМОП   8К*8  200 +5/10%   4 2 3с. 2121.28-4
537РУ18 Б/А КМОП  16К*1  150 +5/   0.4 3с. 4131.24-3
КР537РУ19 HM6287-70 КМОП  64К*1   70 +5/ 5%  95 0.02 3с.  239.24-2
КР537РУ20 Б/А КМОП 256К*1  100 +5/ 5%   2 3с.  239.24-2
КР537РУ23А
КР537РУ23Б 		HM6264-15 КМОП   8К*8  150
 200 		+5/10%     3с. 2121.28-1
КР541РУ1А SN74S401 ИИЛ   4К*1  120 +5/ 5% 100   3с. 2107.18-1
КР541РУ2А
КР541РУ2 		IM7147L-3
Б/А 		ИИИЛ
ИИЛ 		  1К*4
  1К*4 		  90
 120 		+5/ 5%
+5/ 5% 		100
100 		  3с.
3с. 		2107.18-1
2107.18-1
КР541РУ3 Б/А ИИЛ  16К*1  150 +5/ 5% 110   3с. 2118.20-1
541РУ4 SN54S400J ИИИЛ   4К*1  120 +5/  45      427.18-1
К561РУ2А
К561РУ2Б 		CD4061
CD4061A 		КМОП  256*1  950
1300 		+6-12
+6-12 		  0.01
0.2 		3с. 2106.16-2
КР565РУ2А
КР565РУ2Б 		2102A-4
2102A-6 		nМОП   1К*1  450
 850 		+5/10%
+5/10% 		 60
 60 		  3с. 2103.16-8
КМ581РУ5Б
КМ581РУ5В
КМ581РУ5Г 		HM6116P-2 КМОП   2К*8  120
 150
 200 		+5/10%
+5/10%
+5/10% 		 80
 70
 70 		  3с. 2120.24-11
КМ584РУ5 HM6116P-2 КМОП   2К*8 120-220             .24
1603РУ1
Н1603РУ1
КМ1603РУ1 		…
…
HMI6501-2 		КМОП  256*4  550
 550
 360 		+5/10%
+5/10%
+5/10% 		  5
  5
  5 		0.01
0.01
0.01 		3с. 4118.24-2
 Н06.24-1В
210А.22-1
1604РУ1 CD1821D КНС   1К*1  170     2     4212.16-1
1604РУ2 Б/А КНС   4К*1  170    18      427.18-2
1604РУ3 MW5114E КНС   1К*4  170     4      405.24-9
1607РУ1   МНОП   4К*1  100 5/10% 180 30   4153.20-3
1615РУ11       4К*1  140 5/10% 110   3с.  427.18-2
1615РУ21       1К*4  140 5/10% 115   3с.  427.18-2
1617РУ1А
1617РУ1Б 		      1К*1  800
 800 		5/10%
5/10% 		4.5
4.5 		  3с. 4112.16-3
1617РУ4А
1617РУ4Б 		      4К*1  170
 290 		5/10%
5/10% 		 11
 11 		1мк
1мк 		3с. 4116.18-1
1617РУ6А
1617РУ6Б 		      4К*1  220
 420 		5/10%
5/10% 		  35мк
150мк 		3с.  427.18-2
1617РУ9А
1617РУ9Б 		      2К*8  220
 380 		5/10%
5/10% 		  0.6
1 		3с. 4131.24-3
1617РУ13А
1617РУ13Б 		      1К*4  180
 260 		5/10%
5/10% 		 70
 70 		5мк
5мк 		3с.  427.18-1
1617РУ14А
1617РУ14Б 		      4К*1  180
 260 		5/10%
5/10% 		 70
 70 		5мк
5мк 		3с.  427.18-1
И1617РУ22А
И1617РУ22Б 		     16К*1  160
 250 		5/10%
5/10% 		100
100 		0.5
0.5 		3с. 4153.20-4
КР1625РП1   КМОП  128*8   2.5-6     ОК 2101.8 -1
1526РУ2А
1526РУ2Б 		  КМОП  256*1 1900
2500 		4.5-11
4.5-11 		0.15
  1 		  3с. 4112.16-1
М1809РУ1 Б/А nМОП  1К*16  325 +5/ 120   3с. 210Б.24-1
М1821РУ55 M8C155 КМОП  256*8   +5/10%   5 1 3с. 2123.40-6

Параметры микросхем биполярных статических ОЗУ

Обозн. ф/а Техн Емк. Tва
нс 		  Eп
  В 		Iпо
мА 		Iпх
мА 		Вых. Корпус
К155РП3 Б/А ТТЛ   8*2  45 +5/ 5% 170   ОК 239.24-2
К155РУ2
КМ155РУ2 		SN7489 ТТЛ  16*4  60
 60 		+5/ 5% 105
105 		  ОК 238.16-2
238.16-2
К155РУ5 93410DC ТТЛ 256*1  60 +5/ 5% 140   ОК 238.16-2
К155РУ7 93425APC ТТЛ  1К*1  45 +5/ 5% 140   3с. 238.16-2
КР185РУ2 Б/А ТТЛ  64*1 110 +5/10%  50     201.14-2
КР185РУ3 Б/А ТТЛ  64*1 200 +5/10%  56  15 ОК 201.14-2
КР185РУ4 Б/А ТТЛ 256*1 200 +5/10%  90  45 ОК 238.16-2
КР185РУ5 IMD5508MDE ТТЛ  1К*1 330 +5/10%  65  36 ОК 238.16-2
КМ185РУ7 93422DC ТТЛ 256*4  45 +5/ 5% 158   3с. 2108.22-1
КМ185РУ8 N8X350 ТТЛ 512*8  45 +5/ 5% 185   3с. 2108.22-1
КР185РУ9 93419DC ТТЛ  64*9  45 +5/ 5% 200   ОК 2121.28-4
КМ185РУ10 Б/А ТТЛ 16К*1  50 +5/ 5% 150   3с. 2108.22-1
К531РУ8П SN74S189 ТТЛШ  16*4  35 +5/ 5% 110   3с. 201.16-16
К531РУ9П SN74S289 ТТЛШ  16*4  35 +5/ 5% 105   ОК 201.16-16
К531РУ10 SN74S225 ТТЛШ  16*5  40 +5/ 5% 120   3с. 2140Ю.20-1
К531РУ11 DM85S68 ТТЛШ  16*4  40 +5/ 5% 110   3с. 2104.18-2
К589РУ01 3101A ТТЛШ  16*4  35 +5/ 105     238.16-2
КР1531РУ8 SN74F189 ТТЛШ  16*4  26 +5/ 5%  55   3с. 201.16-16
К500РУ145 MCM10145 ЭСЛ  16*4  10 -5.2/5% 150   ОЭ 238.16-2
К500РУ148 MCM10148 ЭСЛ  64*1  15 -5.2/5% 110   ОЭ 238.16-2
К500РУ410
К500РУ410А 		95410
10410 		ЭСЛ 256*1  40
 25 		-5.2/5% 125
140 		  ОЭ 238.16-2
238.16-2
К500РУ415
К500РУ415А
К1500РУ415 		95415
95415
100415 		ЭСЛ  1К*1  30
 20
 20 		-5.2/5%
-5.2/5%
-4.5/5% 		158
160
158 		  ОЭ 238.16-2
238.16-2
4106.16-4
500РУ422
КР1500РУ422
КР1500РУ422А 		F100422
MBM100422-7
MBM100422-7 		ЭСЛ 256*4  10
 10
  8 		–
-4.5/5%
-4.5/5% 		–
200
200 		  ОЭ .24
239.24-2
239.24-2
К500РУ470
К1500РУ470
К1500РУ470А 		F10470
F100470
F100470 		ЭСЛ  4К*1  35
 20
 15 		-5.2/5%
-4.5/5%
-4.5/5% 		210
195
200 		  ОЭ 2107.18-3
4116.18-3
4116.18-3
К1500РУ474
К1500РУ474А 		HM100474
HM100474 		ЭСЛ  1К*4  15
 10 		-4.5/5%
-4.5/5% 		200
200 		  ОЭ 4114.24-3
4114.24-3
К500РУ480
КР1500РУ480А
К1500РУ480Б 		F10480
MBM100480
F100480 		ЭСЛ
ЭСЛ
ЭСЛ 		16К*1
16К*1
16К*1 		 35
 20
 25 		–
-4.5/5%
-4.5/5% 		–
220
160 		  ОЭ .24
239.24-2
4153.20-4
К1500РУ073 GXB100473 ЭСЛ  64*4   6   180   ОЭ 4114.24-3
К6500РУ1 ……. ArGa  1К*1   4 +4;-2.4 1.6вт   ОЭ 4118.24-1

Параметры микросхем программируемых ПЗУ

  Обозн.   ф/а Техн  Емк. Tва
нс 		  Eп
  В 		Iпо
мА 		Iпх
мА 		Вых   Корпус
К155РЕ3 N8223B ТТЛ  32*8  50 +5/ 5% 110   ОК  238.16-2
К500РЕ149 MCM10149 ЭСЛ 256*4  35 -5.2/5% 140   ОЭ  238.16-2
К500РТ416
К1500РТ416 		F10416DC
F100416FC 		ЭСЛ
ЭСЛ 		256*4
256*4 		 20
 20 		-5.2/5%
-4.5/5% 		140
140 		  ОЭ
ОЭ 		 238.16-2
4112.16-9
530РТ1 SN54S287W ТТЛШ 256*4  60 +5/ 135     4112.16-3
К541РТ1 3601 ИИЛ 256*4  80 +5/ 5%  80   ОК  402.16-21
541РТ2 M3636 ТТЛШ  2К*8 100 +5/ 140      405.24-2
КР556РТ4
КР556РТ4А 		3601
3601 		ТТЛШ
ТТЛШ 		256*4
256*4 		 70
 45 		+5/ 5%
+5/ 5% 		130
130 		  ОК
ОК 		 238.16-2
 238.16-2
КР556РТ5
КР556РТ5А 		3604 ТТЛШ
ТТЛШ 		512*8
512*8 		 70
 50 		+5/ 5%
+5/ 5% 		190
190 		  ОК
ОК 		 239.24-2
 239.24-2
М556РТ6
КР556РТ6А 		S82S190
S87S190 		ТТЛШ
ТТЛШ 		 2К*8
 2К*8 		 80
 80 		+5/
+5/ 5% 		185
175 		  ОК
ОК 		210Б.24-1
 239.24-2
Р556РТ7
КР556РТ7А 		S82S191
N82S191 		ТТЛШ
ТТЛШ 		 2К*8
 2К*8 		 60
 60 		+5/
+5/ 5% 		185
175 		  3с.
3с. 		 239.24-2
 239.24-1
556РТ8
КР556РТ8 		…
63RA481 		ТТЛШ
ТТЛШ 		512*8
512*8 		 45
 45 		+5/10%
+5/ 5% 		205
205 		  3с.
3с. 		4131.24-3
 239.24-2
КР556РТ9А
КР556РТ9Б 		N82HS1281
N82HS1281 		ТТЛШ
ТТЛШ 		16К*8
16К*8 		 50
 70 		+5/ 5%
+5/ 5% 		200
200 		  3с.
3с. 		2121.28-1
2121.28-1
М556РТ10 AM29775 ТТЛШ 32К*8 100 +5/10% 200   3с. 4183.28-3
КР556РТ11 93427C ТТЛШ 256*4  45 +5/ 5% 130   3с.  238.16-2
КР556РТ12 N82S136 ТТЛШ  1К*4  60 +5/ 5% 140   ОК 2104.18-5
КР556РТ13
КР556РТ131 		N82S137
AM27S33AC 		ТТЛШ
ТТЛШ 		 1К*4
 1К*4 		 60
 35 		+5/ 5%
+5/ 5% 		140
140 		  3с.
3с. 		2104.18-5
2104.18-5
КР556РТ14 DM87S184 ТТЛШ  2К*4  60 +5/ 5% 140   ОК 2104.18-5
КР556РТ15 DM87S185 ТТЛШ  2К*4  60 +5/ 5% 140   3с. 2104.18-5
КР556РТ16
КР556РТ161 		HM76641-5
N82HS641B 		ТТЛШ
ТТЛШ 		 8К*8
 8К*8 		 85
 35 		+5/ 5%
+5/ 5% 		190
160 		  3с.
3с. 		 239.24-2
 239.24-2
КР556РТ17 3624A ТТЛШ 512*8  50 +5/ 5% 175   3с.  239.24-2
КР556РТ18
КР556РТ181 		HM76161-5
63S1681 		ТТЛШ
ТТЛШ 		 2К*8
 2К*8 		 60
 25 		+5/ 5%
+5/ 5% 		180
185 		  3с.
3с. 		 239.24-2
 239.24-2
КР556РТ20 AM27S35C ТТЛШ  1К*8  30 +5/ 5% 175   3с.  239.24-2
КР556РТ23 63RS881 ТТЛШ  1К*8  30 +5/ 5% 175   3с. 2142.24-2
КР565РТ1 Б/А nМОП  1К*4 300 +5/   3     210А.22-1
КР573РТ2 Б/А nМОП  2К*8 450 +5/ 5% 100   3с. 2120.24-23
КС573РТ4А
КС573РТ4Б 		…
… 		nМОП
nМОП 		 8К*8
 8К*8 		300
450 		+5/ 5%
+5/ 5% 		 70
 70 		  3с.
3с. 		2121.28-13
2121.28-13
КР573РТ5 Б/А nМОП  2К*8 450 +5/ 5% 100   3с. 2120.24-3
КР573РТ6 Б/А nМОП  8К*8 450 +5/ 5% 120 40 3с. 2121.28-5
1604РТ1 Б/А КНС  2К*2 200 +5/  13     4120.32-1
КМ1608РТ1 AM29751AM ТТЛШ  32*8  35 +5/ 5% 115   3с.  201.16-17
КМ1608РТ2 AM29775 ТТЛШ 512*8  35 +5/ 5% 185   3с. 2108.22-1
КМ1608РТ3 AM29761 ТТЛШ 256*4  40 +5/ 5% 130   3с.     .16-
М1613РТ1 Б/А nМОП  1К*4 200 +5/ 110     210А.22-1
1622РТ5 … … 512*8 120 +5/10% 260   ОК 4118.24-1
М1623РТ1А
М1623РТ1Б 		Б/А
Б/А 		КМОП
КМОП 		 2К*8
 2К*8 		160
200 		+5/10%
+5/10% 		 50
 50 		0.1
0.1 		3с.
3с. 		210Б.24-1
210Б.24-1
1623РТ2А
1623РТ2Б 		…
… 		КМОП
КМОП 		 8К*8
 8К*8 		160
200 		+5/10%
+5/10% 		 50
 50 		0.1
0.1 		3с.
3с. 		4119.28-6
4119.28-6

Параметры микросхем репрограммируемых ПЗУ с УФ-стиранием

Обозн.  ф/а  Техн.  Емк. Tва
нс 		  Eп
  В 		Iпо
мА 		Iпх
мА 		Вых Корпус
К573РФ1 2708 nЛИЗМОП   1К*8 450 +12/ 5%
+5/ 5%
-5/ 5% 		 70
 45
 15 		  3с. 210Б.24-5
2120.24-9
2120.24-8
К573РФ2
С573РФ2 		2716
2716 		nЛИЗМОП
nЛИЗМОП 		  2К*8
  2К*8 		450
450 		+5/ 5%
+5/10% 		 80
110 		  3с.
3с. 		210Б.24-5
2120.24-12
К573РФ3
К573РФ3А 		Б/А
Б/А 		nЛИЗМОП
nЛИЗМОП 		 4К*16
 4К*16 		400
550 		+5/ 5%
+5/ 5% 		 85
 85 		  3с.
3с. 		210Б.24-5
210Б.24-5
К573РФ4А
К573РФ4Б 		Б/А
Б/А 		nЛИЗМОП
nЛИЗМОП 		  8К*8
  8К*8 		300
450 		+5/ 5%
+5/ 5% 		 70
 70 		  3с.
3с. 		2121.28-5
2121.28-5
К573РФ5 2716 nЛИЗМОП   2К*8 450 +5/ 5% 100  20 3с. 210Б.24-5
К573РФ6А
К573РФ6Б 		2764
2764 		nЛИЗМОП
nЛИЗМОП 		  8К*8
  8К*8 		300
450 		+5/ 5%
+5/ 5% 		120
120 		 50
 50 		3с.
3с. 		2121.28-6
2121.28-6
К573РФ7 27256 nЛИЗМОП  32К*8 300 +5/ 5% 120   3с. 2121.28-6
К573РФ71 27128 nЛИЗМОП  16К*8 300 +5/ 5% 120   3с. 2121.28-6
К573РФ8А
К573РФ8Б
К573РФ8В 		27256
27256
27256 		nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП 		 32К*8
 32К*8
 32К*8 		250
300
350 		+5/ 5%
+5/ 5%
+5/ 5% 		125
125
125 		 50
 50
 50 		3с.
3с.
3с. 		2121.28-6
2121.28-6
2121.28-6
C573РФ9   nЛИЗМОП 128К*8 350 +5/ 5% 110   3с. 2121.28-6
C573РФ91   nЛИЗМОП  64К*8 350 +5/ 5% 110   3с. 2121.28-6
C573РФ93   nЛИЗМОП 128К*4 350 +5/ 5% 110   3с. 2121.28-6
573РФ10
КМ573РФ10 		M8755
M8755 		nЛИЗКМОП
nЛИЗКМОП 		  2К*8
  2К*8 		450
450 		+5/10%
+5/ 5% 		 30
 30 		  5
  5 		3с.
3с. 		2123.40-12
2123.40-12
КС1626РФ1А
КС1626РФ1Б 		27C64-20
27C64-20 		КМОП
КМОП 		  8К*8
  8К*8 		200
300 		+5/10%
+5/10% 		 30
 30 		  1
  1 		3с.
3с. 		2121.28-13
2121.28-13
М1821РФ55 M8755A nЛИЗКМОП   2К*8 450 +5/     3с.     .40

Параметры микросхем электрически перепрограммируемых ПЗУ

Обозн.   ф/а Техн. Емк. Tва
нс 		  Eп
  В 		Iпо
мА 		Iпх
мА 		Вых Корпус
КР558РР1 BORAM-6000 pМНОП 256*8 5000 +12/5%
 +5/5% 		       405.24-7
КР558РР2А
КР558РР2Б 		HN48016
HN48016 		nМНОП
nМНОП 		 2К*8
 2К*8 		 350
 700 		 +5/5%
 +5/5% 		100
100 		  3с.
3с. 		 405.24-7
 405.24-7
КМ558РР3 Б/А nМНОП  8К*8  430  +5/5%  80  20 3с. 2121.28-6
КР558РР4А
КР558РР4Б 		IMS3630
IMS3630 		nМНОП
nМНОП 		 8К*8
 8К*8 		 300
 400 		 +5/5%
 +5/5% 		 90
 90 		  3с.
3с. 		2121.28-5
2121.28-5
К573РР2
КС573РР2
КС573РР2А 		2816 nМНОП
nМНОП
nМНОП 		 2К*8
 2К*8
 2К*8 		 350
 350
 350 		 +5/5%
 +5/5%
 +5/5% 		110
110
110 		 55
 55
 55 		3с.
3с.
3с. 		2120.24-1
2120.24-16
2120.24-16
КР1601РР1 ER2401 pМНОП  1К*4  900 -12/5%
 +5 		 40  15 3с. 2120.24-3
КР1601РР2 NC7010   512*2 1200       3с.     .24-
КР1601РР3 Б/А pМНОП  2К*8  600 -12/5%
 +5 		 40   3с. 2121.28-5
КМ1609РР1 2816 nМНОП  2К*8  350  +5/5%  90  35 3с. 2120.24-1
КМ1609РР2А
КМ1609РР2Б 		2864A
2864A 		nМОП
nМОП 		 8К*8
 8К*8 		 300
 450 		 +5/5%
 +5/5% 		100
100 		 60
 60 		3с.
3с. 		2121.28-6
2121.28-6
КМ1609РР3А
КМ1609РР3Б 		X2864AL-25
X2864AL-25 		nМОП
nМОП 		 8К*8
 8К*8 		 250
 450 		 +5/5%
 +5/5% 		100
100 		 40
 40 		3с.
3с. 		2121.28-6
2121.28-6
КР1611РР1А
КР1611РР1Б 		Б/А
Б/А 		nМНОП
nМНОП 		 8К*8
 8К*8 		 300
 450 		 +5/5%
 +5/5% 		130
130 		 60
 60 		3с.
3с. 		2121.28-5
2121.28-5
КР1613РР1А ER3400    1К*4               .22-
К1624РР1А Б/А nМНОП 32К*8  400  +5/5%  80  20 3с. 4119.28-6
КР1801РР1Б … nМНОП 4К*16  550  +5/5%  85  40 3с.  239.24-1

Параметры микросхем программируемой логики (ПЛМ)

  Обозн.   ф/а Техн Tва
нс 		  Eп
  В 		Iпо
мА 		Вых. Корпус Примечание
556РТ1
Р556РТ1
КР556РТ1 		S82S101
S82S101
N82S101 		ТТЛШ
ТТЛШ
ТТЛШ 		 50
 50
 70 		+5
+5
+5 		160
160
160 		ОК
ОК
ОК 		4119.28-1
2121.28-1
2121.28-1 		16 входов, 8 выходов, 48произв.
556РТ2
Р556РТ2
КР556РТ2 		S82S100
S82S100
N82S100 		ТТЛШ
ТТЛШ
ТТЛШ 		 50
 50
 50 		+5
+5
+5 		200
200
200 		3с.
3с.
3с. 		4119.28-1
2121.28-1
2121.28-1 		16 входов, 8 выходов, 48произв.
556РТ3 Б/А ТТЛШ  60 +5 200 … 4119.28-1 16 вх. 8 вых. 48 произв.
КР556РТ21
КР556РТ21А 		N82S105A
N82S105A 		ТТЛШ
ТТЛШ 		 30
 20 		+5
+5 		180
180 		3с.
3с. 		2121.28-1
2121.28-1 		секвенсер
секвенсер
КР556РТ22 N82S167 ТТЛШ  20 +5 180 3с. 239.24-2  –
583РТ1 … … 110 +5/10% 160 3с. 429.42-1 20 вх.18 вых., 48 произв.
КМ1556ХЛ8 PAL16L8 ТТЛШ  40 +5 200 3с. 2140.20-4 16 вх., 8 вых., 64произв.
КМ1556ХП4 PAL16R4 ТТЛШ  40 +5 200 3с. 2140.20-4 16 вх., 8 вых., 64произв.
КМ1556ХП6 PAL16R6 ТТЛШ  40 +5 200 3с. 2140.20-4 16 вх., 8 вых., 64произв.
КМ1556ХП8 PAL16R8 ТТЛШ  25 +5 200 3с. 2140.20-4 16 вх., 8 вых., 64произв.
КР1656РП2 …    50 +5/5% 170 3с. 2121.28-1 16*8*48

Параметры микросхем FIFO

Обозн. ф/а Техн Tва
нс 		Eп
В 		Iпо
мА 		Вых Корпус Емкость
К531РУ10 SN74S225 ТТЛШ 10Мгц +5   3с. 2140.20-1 16*5
КМ536ИР2 F3341         … ….20- 64*4
К1002ИР1 CD40105B КМОП 1.8Мгц +5   3с. ….24- 32*8
КР1517ИР3 674011 ТТЛШ 55 +5 150 3с. 2103.16-8 64*4
555РУ12 SN74LS224 ТТЛШ 92 +5 155   2103.16-8 16*4