Биполярные транзисторы источников питания и выходных каскадов строчной развертки. Приведенные в статье данные по электрическим параметрам и типу корпуса мощных биполярных транзисторов позволяют сделать правильный выбор при их замене.

Ремонт видео- и телеаппаратуры в большинстве случаев связан с устранением неисправностей в цепях вторичного электропитания этих устройств. Большинство компонентов цепей электропитания сгруппировано в источниках питания (ИП), в виде отдельной платы, либо фрагмента общей платы. В телевизоре формирование вторичных напряжений питания происходит также и в выходном узле строчной развертки.

Все ИП современных телевизоров, а также большинство ИП видеомагнитофонов, построены по схеме импульсных преобразователей постоянного тока с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ), что делает их более экономичными и дает выигрыш по масса — габаритным параметрам и КПД в сравнении с традиционными трансформаторными.

В качестве ключевого элемента используется мощный биполярный либо полевой транзистор в дискретном исполнении или входящий в состав микросхемы ШИМ — регулятора.

Из всех полупроводниковых элементов ключевой транзистор блока питания и выходной транзистор строчной развертки работают в наиболее тяжелом тепловом режиме. Как следствие, — вероятность их пробоя при выходе за установленные нормы параметров питающей электросети, особенно таких, как величина и стабильность действующего напряжения уровень импульсных помех.

При ремонте приходится сталкиваться с большим перечнем транзисторов, применяемых в разных моделях телевизоров и видеомагнитофонов различными фирмами-производителями. Возможность существенно сузить их круг дает приведенная в статье таблица замен с параметрами наиболее ходовых транзисторов. Таблица составлена на основе имеющихся в продаже альбомов схем, включающих, как правило, наиболее пользующиеся спросом, с точки зрения ремонта, схемы моделей телевизоров и видеомагнитофонов. Для удобства подбора аналогов транзисторы сгруппированы по типам корпусов.

Тип	Di кэ	Rбэ доп, Ом	Uкбо, В	Uкэ, В	Iкэ, А	Pк, Вт	Fгр, мГц	h21э, мин	Uкэ нас, В	Корпус
22SC3866			900	800	3	40	4	10	1.0	TO-220-ISO
2SC4517			900	550	3	20	6	10		TO-220-ISO
2SC5249			600		3	35	6			TO-220-ISO
BUT11AF			850	450	5	20	10	10	1.5	TO-220-ISO
BUT12AF			1000	450	8	23		10	1.5	TO-220-ISO
BUT18AF			1000	450	6	23		10	1.5	TO-220-ISO
2SC3039			500	400	7	50	20	15		TO-220
2SC3866			900	800	3	40	4	10	1.0	TO-220
2SC3979A			900	800	3	40		8	1.5	TO-220
2SC4517	+		900	550	3	40	6	10		TO-220
2SC4517A			1000	550	3	40	6	10		TO-220
BUT11A			850	450	5	125	10	10	1.5	TO-220
2SC4123	+	24	1500	700	8	55	2	4	1.5	TO-218-ISO TO-3PML
2SC4288A			1500	600	12	200	8	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SC4538			900	800	5	80	3	10	1.0	TO-218-ISO TO-3PML
2SC4927	+	27	1500	700	8	50			1.5	TO-218-ISO TO-3PML
2SC5250	+	24	1500	700	8	50	8	5	1.5	TO-218-ISO TO-3PML
2SD1391			1500	700	5	100	3	4		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1541	+	33	1500	700	3	50	3	4	1.5	TO-218-ISO TO-3PML
2SD1545			1500	600	6	50	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1548			1400	600	10	50	3	8	1.5	TO-218-ISO TO-3PML
2SD1554	+	27	1500	600	3.5	40	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1555	+	39	1500	600	5	50	3	8	5.0	TO-218-ISO TO-3PML
2SD1556	+	33	1500	600	6	50	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1632	+	33	1500	1500	4	70	2	5		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1651	+	27	1500	800	5	60	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1710			1500	800	5	50	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1876	+	27	1500	800	3	50	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1877	+	33	1500	800	4	50	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1878	+	33	1500	800	5	60	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1879	+	36	1500	800	6	60		5		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1881	+	24	1500	800	10	70	3	5		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1884			1500	800	5	60	3	5		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1886			1500	800	8	70	3	5		TO-218-ISO TO-3PML
2SD1887			1500	800	10	70	3	5	5.0	TO-218-ISO TO-3PML
2SD1941			1500	650	6	50	8	5		TO-218-ISO TO-3PML
2SD2095	+	22	1500	600	5	50	3	8		TO-218-ISO TO-3PML
2SD2333	+	24	1500	600	5	80	3	3	0.9	TO-218-ISO TO-3PML
BU508DF	+		1500	700	5	34	7	3	1.0	TO-218-ISO TO-3PML
BU2508AF		24	1500	700	8	45		8	1.0	TO-218-ISO TO-3PML
S2055AF(N)	+	39	1500	700	8	80	3	3		TO-218-ISO TO-3PML
2SC3552			1100	800	12	150	15	10	2.0	TO-218  TO-3P(PB)
2SC4142			1500	800	5	50		15		TO-218  TO-3P(PB)
2SC4742	+	39	—	1500	6	50		25		TO-218  TO-3P(PB)
2SD1402			1500	800	5	120	8	5		TO-218  TO-3P(PB)
2SD1403			1500	800	6	120	8	5	1.3	TO-218  TO-3P(PB)
2SD2331	+	47	1500	600	3	60	3	3	1.5	TO-218  TO-3P(PB)
BU508A			1500	700	5	125	7	3	1.0	TO-218  TO-3P(PB)
BU2508D	+	24	1500	700	8	125		8		TO-218  TO-3P(PB)
2SC3996			1500	800	15	180	3	8	5.0	TO-3F
2SC4111			1500	700	10	150	2	3	5.0	TO-3F
S2000N	+		1500	700	8	125	3	3	1.0	TO-3F

Термины и буквенные обозначения электрических параметров, употребляемые в таблице:
Di кэ — встроенный диод между коллектором и эмиттером;
Rбэдоп — дополнительный резистор между базой и эмиттером;
Uкбо — максимальное обратное постоянное напряжение между коллектором и базой при токе эмиттера, равном нулю;
Uкэ — максимально-допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером при токе базы, равном нулю;
Iкэ — максимально-допустимый  постоянный ток коллектора;
Pк — максимально-допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
Fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
h21э мин — минимальный статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;
Uкэ нас — максимальное падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер в открытом состоянии.

Типы корпусов, упоминаемые в таблице.

Авторы: Шамиль Садеков, Александр Румянцев, Михаил Телянер