Отечественные микросхемы памяти

Отечественные микросхемы памяти

Справочник по отечественным микросхемам памяти составлен по паспортам заводов изготовителей. Он включает в себя таблицы кратких параметров: микросхем динамических ОЗУ, микросхем статических ОЗУ МОП типа, микросхем биполярных статических ОЗУ, микросхем программируемых ПЗУ, микросхем репрограммируемых ПЗУ с УФ-стиранием, микросхем электрически перепрограммируемых ПЗУ, микросхем программируемой логики (ПЛМ), микросхем FIFO.


Параметры микросхем ОЗУ динамического типа

  Обозн  ф/а Техн.  Емк.  Tва
 нс
  Eп 
  В 
 Iпо
 мА
Вых. Корпус
КР565РУ1А 2107A nМОП   4К*1 200+12/ 5%
 +5/ 5%
 -5/ 5%
 60
  5
0.1
 3с. 210А.22-3
КР565РУ1Б 2107A nМОП   4К*1 300+12/ 5%
 +5/ 5%
 -5/ 5%
 60
  5
0.1
 3с. 210А.22-3
К565РУ5Б 
К565РУ5В 
К565РУ5Г 
К565РУ5Д 
MCM6664 
MCM6664 
MCM6664 
MCM6664 
nМОП  64К*1 120
 150
 200
 250
 +5/10%
 +5/10%
 +5/ 5%
 +5/ 5%
 45
 35
 35
 30
 3с2103.16-5
КР565РУ6Б 
КР565РУ6В 
КР565РУ6Г 
КР565РУ6Д 
2118-7 
2118-7 
2118-7 
2118-7 
nМОП  16К*1
 16К*1
 16К*1
 16К*1
 120
 150
 200
 250
 +5/10%
 +5/10%
 +5/10%
 +5/10%
 27
 25
 23
 21
 3с2103.16-2
К565РУ7В 
К565РУ7Г 
К565РУ7Д 
HM50256 
HM50256 
HM50256 
nМОП 256К*1
256К*1
256К*1
 150
 200
 250
 +5/10%
 +5/10%
 +5/10%
 65
 65
 65
 3с2103.16-2
КР565РУ8А 
КР565РУ8Б 
КР565РУ8В 
КР565РУ8Г 
MB81256-10
MB81256-10
MB81256-10
MB81256-10
nМОП 256К*1
256К*1
256К*1
256К*1
 100
 120
 150
 200
 +5/ 5%
 +5/ 5%
 +5/ 5%
 +5/ 5%
 70
 70
 65
 60
 3с238.16-1
КР565РУ9В 
КР565РУ9Г 
MPD411000 
MPD411000 
nМОП   1М*1
  1М*1
 150
 200
 +5/ 5%
 +5/ 5%
 80
 70
 3с2107.18-1
 К584РУ4 MK4116-2 nМОП  16К*1 135 +5/   3с. 2103.16-2

Параметры микросхем статических ОЗУ МОП типа

  Обозн.  ф/аТехн. Емк. Tва
 нс
 Eп
 В
 Iпо
 мА
 Iпх
 мА
Вых.Корпус
132РУ1АM2101A-4nМОП  1К*1 400+5/10% 76? ??4112.16-2
КР132РУ3А
КР132РУ3Б
2125nМОП  1К*1  60
 110
+5/10%100
 85
 3с.2103.16-6
КР132РУ4А
КР132РУ4Б
2125ALnМОП  1К*1  33
  45
+5/10%  45
 45
3с.2103.16-2
КР132РУ5А
КР132РУ5Б
КР132РУ5В
2147nМОП  4К*1  85
 120
  55
+5/10%180
180
180
 30
 30
 30
3с.2104.18-1
КР132РУ6А
КР132РУ6Б
IMS1400nМОП 16К*1  45
  70
+5/10%  20
 20
3с.2140Ю.20-3
КР132РУ7IMS4016МОП  2К*8 250+5/       .24-
КМ132РУ8А
КМ132РУ8Б
2148HnМОП  1К*4  70
 120
+5/10%160
160
 25
 25
3с.2104.18-1
КМ132РУ9А
КМ132РУ9Б
2149HnМОП  1К*4  60
 110
+5/10%190
190
  3с.2104.18-1
М132РУ10А
М132РУ10Б
Б/АnМОП 64К*1  55
  70
+5/ 85
 85
 30
 30
3с.2108.22-9
КР132РУ11А
КР132РУ11Б
TMM2016PhМОП  2К*8 150
 250
+5/140
160
 3с.2120.24-13
КР132РУ12А
КР132РУ12Б
IMS1420-55nМОП  4К*4  50
  70
+5/140
140
 3с.2140Ю.20-2
КР132РУ13А
КР132РУ13Б
TMM2018DhМОП  2К*8  55
  70
+5/140
140
 3с.2142.24-3
КМ132РУ14А
КМ132РУ14Б
2148HnМОП  1К*4  60
  80
+5/10%100
100
 3с.2104.18-9
КМ132РУ15А
КМ132РУ15Б
2149HnМОП  1К*4  55
  70
+5/10%100
100
 3с.2104.18-9
КМ132РУ16А
КМ132РУ16Б
2147HnМОП  4К*1  55
  80
+5/10% 90
 90
 3с.2104.18-9
КР188РУ2А
КР188РУ2Б
CD4061ADКМОП 256*1 500
1000
+5/10%  2
  2
0.01
0.01
3с. 238.16-1
КР537РУ1IM6508КМОП  1К*1 300+5/ 5% 10   238.16-1
КР537РУ2А
КР537РУ2Б
HMI6504-5КМОП  4К*1 300
 430
+5/10%
+5/ 5%
 0.05
0.5
3с.2107.18-4
КР537РУ3А
КР537РУ3Б
КР537РУ3В
КР537РУ3Г
HM6504-5КМОП  4К*1 250
 160
 250
 160
+5/10% 20
 20
0.01
0.01
3с.2107.18-1
 537РУ4А
 537РУ4Б
HM6504-2КМОП  4К*1 250
 500
+5/10% 0.01
0.01
3с.4116.18-1
КР537РУ5HM6514-5КМОП  1К*4 300        .22
К537РУ6А
К537РУ6Б
HM6504B-2КМОП  4К*1 160
 300
+5/10% 0.05
0.15
3с.    .18
КР537РУ7HM6147КМОП  4К*1  80        .18
КР537РУ8А
КР537РУ8Б
TC5516
MSM5128
КМОП  2К*8 220
 400
+5/ 5%  20
 20
0.2
0.5
3с. 239.24-2
537РУ9А
537РУ9Б
HM6516-2КМОП  2К*8 240
 420
+5/10% 1
2
3с.4131.24-3
КР537РУ10
КР537РУ10А
КР537РУ10Б
HM6516-9КМОП  2К*8 220
  90
 450
+5/ 5% 60
 60
 60
0.4
5
5
3с. 239.24-2
КР537РУ11А
КР537РУ11Б
Б/АКМОП256*16 440
 440
+5/10% 0.03
0.08
3с. 239.24-2
КР537РУ13
КР537РУ13А
TC5514ADКМОП  1К*4 200
 120
+5/10% 25
 25
0.01
0.01
3с.2107.18-1
КР537РУ14А
КР537РУ14Б
TC5504ADКМОП  4К*1 110
 180
+5/10% 50
 50
0.05
0.13
3с. 427.18-2
К537РУ15А
К537РУ15Б
HM6504B-2КМОП  4К*1 100
 220
+5/10% 0.025
0.1
3с.4116.18-1
КР537РУ16А
КР537РУ16Б
HM6264-15КМОП  8К*8 150
 300 
+5/ 1
2
3с.4119.28-6
КР537РУ17MB8664-15КМОП  8К*8 200+5/10%  423с.2121.28-4
537РУ18Б/АКМОП 16К*1 150+5/ 0.43с.4131.24-3
КР537РУ19HM6287-70КМОП 64К*1  70+5/ 5% 950.023с. 239.24-2
КР537РУ20Б/АКМОП256К*1 100+5/ 5% 23с. 239.24-2
КР537РУ23А
КР537РУ23Б
HM6264-15КМОП  8К*8 150
 200
+5/10%  3с.2121.28-1
КР541РУ1АSN74S401ИИЛ  4К*1 120+5/ 5%100 3с.2107.18-1
КР541РУ2А
КР541РУ2
IM7147L-3
Б/А
ИИИЛ
ИИЛ
  1К*4
  1К*4
  90
 120
+5/ 5%
+5/ 5%
100
100
 3с.
3с.
2107.18-1
2107.18-1
КР541РУ3Б/АИИЛ 16К*1 150+5/ 5%110 3с.2118.20-1
541РУ4SN54S400JИИИЛ  4К*1 120+5/ 45   427.18-1
К561РУ2А
К561РУ2Б
CD4061
CD4061A
КМОП 256*1 950
1300
+6-12
+6-12
 0.01
0.2
3с.2106.16-2
КР565РУ2А
КР565РУ2Б
2102A-4
2102A-6
nМОП  1К*1 450
 850
+5/10%
+5/10%
 60
 60
 3с.2103.16-8
КМ581РУ5Б
КМ581РУ5В
КМ581РУ5Г
HM6116P-2КМОП  2К*8 120
 150
 200
+5/10%
+5/10%
+5/10%
 80
 70
 70
 3с.2120.24-11
КМ584РУ5HM6116P-2КМОП  2К*8120-220        .24
1603РУ1
Н1603РУ1
КМ1603РУ1


HMI6501-2
КМОП 256*4 550
 550
 360
+5/10%
+5/10%
+5/10%
  5
  5
  5
0.01
0.01
0.01
3с.4118.24-2
 Н06.24-1В
210А.22-1
1604РУ1CD1821DКНС  1К*1 170   2  4212.16-1
1604РУ2Б/АКНС  4К*1 170  18   427.18-2
1604РУ3MW5114EКНС  1К*4 170   4   405.24-9
1607РУ1 МНОП  4К*1 1005/10%18030 4153.20-3
1615РУ11    4К*1 1405/10%110 3с. 427.18-2
1615РУ21    1К*4 1405/10%115 3с. 427.18-2
1617РУ1А
1617РУ1Б
    1К*1 800
 800
5/10%
5/10%
4.5
4.5
 3с.4112.16-3
1617РУ4А
1617РУ4Б
    4К*1 170
 290
5/10%
5/10%
 11
 11
1мк
1мк
3с.4116.18-1
1617РУ6А
1617РУ6Б
    4К*1 220
 420
5/10%
5/10%
 35мк
150мк
3с. 427.18-2
1617РУ9А
1617РУ9Б
    2К*8 220
 380
5/10%
5/10%
 0.6
1
3с.4131.24-3
1617РУ13А
1617РУ13Б
    1К*4 180
 260
5/10%
5/10%
 70
 70
5мк
5мк
3с. 427.18-1
1617РУ14А
1617РУ14Б
    4К*1 180
 260
5/10%
5/10%
 70
 70
5мк
5мк
3с. 427.18-1
И1617РУ22А
И1617РУ22Б
   16К*1 160
 250
5/10%
5/10%
100
100
0.5
0.5
3с.4153.20-4
КР1625РП1 КМОП 128*8 2.5-6  ОК2101.8 -1
1526РУ2А
1526РУ2Б
 КМОП 256*11900
2500
4.5-11
4.5-11
0.15
  1
 3с.4112.16-1
М1809РУ1Б/АnМОП 1К*16 325+5/120 3с.210Б.24-1
М1821РУ55M8C155КМОП 256*8 +5/10%  513с.2123.40-6

Параметры микросхем биполярных статических ОЗУ

Обозн.ф/аТехнЕмк.Tва
нс
  Eп
  В
Iпо
мА
Iпх
мА
Вых.Корпус
К155РП3Б/АТТЛ  8*2 45+5/ 5%170 ОК239.24-2
К155РУ2
КМ155РУ2
SN7489ТТЛ 16*4 60
 60
+5/ 5%105
105
 ОК238.16-2
238.16-2
К155РУ593410DCТТЛ256*1 60+5/ 5%140 ОК238.16-2
К155РУ793425APCТТЛ 1К*1 45+5/ 5%140 3с.238.16-2
КР185РУ2Б/АТТЛ 64*1110+5/10% 50  201.14-2
КР185РУ3Б/АТТЛ 64*1200+5/10% 56 15ОК201.14-2
КР185РУ4Б/АТТЛ256*1200+5/10% 90 45ОК238.16-2
КР185РУ5IMD5508MDEТТЛ 1К*1330+5/10% 65 36ОК238.16-2
КМ185РУ793422DCТТЛ256*4 45+5/ 5%158 3с.2108.22-1
КМ185РУ8N8X350ТТЛ512*8 45+5/ 5%185 3с.2108.22-1
КР185РУ993419DCТТЛ 64*9 45+5/ 5%200 ОК2121.28-4
КМ185РУ10Б/АТТЛ16К*1 50+5/ 5%150 3с.2108.22-1
К531РУ8ПSN74S189ТТЛШ 16*4 35+5/ 5%110 3с.201.16-16
К531РУ9ПSN74S289ТТЛШ 16*4 35+5/ 5%105 ОК201.16-16
К531РУ10SN74S225ТТЛШ 16*5 40+5/ 5%120 3с.2140Ю.20-1
К531РУ11DM85S68ТТЛШ 16*4 40+5/ 5%110 3с.2104.18-2
К589РУ013101AТТЛШ 16*4 35+5/105  238.16-2
КР1531РУ8SN74F189ТТЛШ 16*4 26+5/ 5% 55 3с.201.16-16
К500РУ145MCM10145ЭСЛ 16*4 10-5.2/5%150 ОЭ238.16-2
К500РУ148MCM10148ЭСЛ 64*1 15-5.2/5%110 ОЭ238.16-2
К500РУ410
К500РУ410А
95410
10410
ЭСЛ256*1 40
 25
-5.2/5%125
140
 ОЭ238.16-2
238.16-2
К500РУ415
К500РУ415А
К1500РУ415
95415
95415
100415
ЭСЛ 1К*1 30
 20
 20
-5.2/5%
-5.2/5%
-4.5/5%
158
160
158
 ОЭ238.16-2
238.16-2
4106.16-4
500РУ422
КР1500РУ422
КР1500РУ422А
F100422
MBM100422-7
MBM100422-7
ЭСЛ256*4 10
 10
  8

-4.5/5%
-4.5/5%

200
200
 ОЭ.24
239.24-2
239.24-2
К500РУ470
К1500РУ470
К1500РУ470А
F10470
F100470
F100470
ЭСЛ 4К*1 35
 20
 15
-5.2/5%
-4.5/5%
-4.5/5%
210
195
200
 ОЭ2107.18-3
4116.18-3
4116.18-3
К1500РУ474
К1500РУ474А
HM100474
HM100474
ЭСЛ 1К*4 15
 10
-4.5/5%
-4.5/5%
200
200
 ОЭ4114.24-3
4114.24-3
К500РУ480
КР1500РУ480А
К1500РУ480Б
F10480
MBM100480
F100480
ЭСЛ
ЭСЛ
ЭСЛ
16К*1
16К*1
16К*1
 35
 20
 25

-4.5/5%
-4.5/5%

220
160
 ОЭ.24
239.24-2
4153.20-4
К1500РУ073GXB100473ЭСЛ 64*4  6 180 ОЭ4114.24-3
К6500РУ1…….ArGa 1К*1  4+4;-2.41.6вт ОЭ4118.24-1

Параметры микросхем программируемых ПЗУ

    Обозн.  ф/аТехн Емк.Tва
нс
  Eп
  В
Iпо
мА
Iпх
мА
Вых  Корпус
К155РЕ3N8223BТТЛ 32*8 50+5/ 5%110 ОК 238.16-2
К500РЕ149MCM10149ЭСЛ256*4 35-5.2/5%140 ОЭ 238.16-2
К500РТ416
К1500РТ416
F10416DC
F100416FC
ЭСЛ
ЭСЛ
256*4
256*4
 20
 20
-5.2/5%
-4.5/5%
140
140
 ОЭ
ОЭ
 238.16-2
4112.16-9
530РТ1SN54S287WТТЛШ256*4 60+5/135  4112.16-3
К541РТ13601ИИЛ256*4 80+5/ 5% 80 ОК 402.16-21
541РТ2M3636ТТЛШ 2К*8100+5/140   405.24-2
КР556РТ4
КР556РТ4А
3601
3601
ТТЛШ
ТТЛШ
256*4
256*4
 70
 45
+5/ 5%
+5/ 5%
130
130
 ОК
ОК
 238.16-2
 238.16-2
КР556РТ5
КР556РТ5А
3604ТТЛШ
ТТЛШ
512*8
512*8
 70
 50
+5/ 5%
+5/ 5%
190
190
 ОК
ОК
 239.24-2
 239.24-2
М556РТ6
КР556РТ6А
S82S190
S87S190
ТТЛШ
ТТЛШ
 2К*8
 2К*8
 80
 80
+5/
+5/ 5%
185
175
 ОК
ОК
210Б.24-1
 239.24-2
Р556РТ7
КР556РТ7А
S82S191
N82S191
ТТЛШ
ТТЛШ
 2К*8
 2К*8
 60
 60
+5/
+5/ 5%
185
175
 3с.
3с.
 239.24-2
 239.24-1
556РТ8
КР556РТ8

63RA481
ТТЛШ
ТТЛШ
512*8
512*8
 45
 45
+5/10%
+5/ 5%
205
205
 3с.
3с.
4131.24-3
 239.24-2
КР556РТ9А
КР556РТ9Б
N82HS1281
N82HS1281
ТТЛШ
ТТЛШ
16К*8
16К*8
 50
 70
+5/ 5%
+5/ 5%
200
200
 3с.
3с.
2121.28-1
2121.28-1
М556РТ10AM29775ТТЛШ32К*8100+5/10%200 3с.4183.28-3
КР556РТ1193427CТТЛШ256*4 45+5/ 5%130 3с. 238.16-2
КР556РТ12N82S136ТТЛШ 1К*4 60+5/ 5%140 ОК2104.18-5
КР556РТ13
КР556РТ131
N82S137
AM27S33AC
ТТЛШ
ТТЛШ
 1К*4
 1К*4
 60
 35
+5/ 5%
+5/ 5%
140
140
 3с.
3с.
2104.18-5
2104.18-5
КР556РТ14DM87S184ТТЛШ 2К*4 60+5/ 5%140 ОК2104.18-5
КР556РТ15DM87S185ТТЛШ 2К*4 60+5/ 5%140 3с.2104.18-5
КР556РТ16
КР556РТ161
HM76641-5
N82HS641B
ТТЛШ
ТТЛШ
 8К*8
 8К*8
 85
 35
+5/ 5%
+5/ 5%
190
160
 3с.
3с.
 239.24-2
 239.24-2
КР556РТ173624AТТЛШ512*8 50+5/ 5%175 3с. 239.24-2
КР556РТ18
КР556РТ181
HM76161-5
63S1681
ТТЛШ
ТТЛШ
 2К*8
 2К*8
 60
 25
+5/ 5%
+5/ 5%
180
185
 3с.
3с.
 239.24-2
 239.24-2
КР556РТ20AM27S35CТТЛШ 1К*8 30+5/ 5%175 3с. 239.24-2
КР556РТ2363RS881ТТЛШ 1К*8 30+5/ 5%175 3с.2142.24-2
КР565РТ1Б/АnМОП 1К*4300+5/  3  210А.22-1
КР573РТ2Б/АnМОП 2К*8450+5/ 5%100 3с.2120.24-23
КС573РТ4А
КС573РТ4Б

nМОП
nМОП
 8К*8
 8К*8
300
450
+5/ 5%
+5/ 5%
 70
 70
 3с.
3с.
2121.28-13
2121.28-13
КР573РТ5Б/АnМОП 2К*8450+5/ 5%100 3с.2120.24-3
КР573РТ6Б/АnМОП 8К*8450+5/ 5%120403с.2121.28-5
1604РТ1Б/АКНС 2К*2200+5/ 13  4120.32-1
КМ1608РТ1AM29751AMТТЛШ 32*8 35+5/ 5%115 3с. 201.16-17
КМ1608РТ2AM29775ТТЛШ512*8 35+5/ 5%185 3с.2108.22-1
КМ1608РТ3AM29761ТТЛШ256*4 40+5/ 5%130 3с.    .16-
М1613РТ1Б/АnМОП 1К*4200+5/110  210А.22-1
1622РТ5512*8120+5/10%260 ОК4118.24-1
М1623РТ1А
М1623РТ1Б
Б/А
Б/А
КМОП
КМОП
 2К*8
 2К*8
160
200
+5/10%
+5/10%
 50
 50
0.1
0.1
3с.
3с.
210Б.24-1
210Б.24-1
1623РТ2А
1623РТ2Б

КМОП
КМОП
 8К*8
 8К*8
160
200
+5/10%
+5/10%
 50
 50
0.1
0.1
3с.
3с.
4119.28-6
4119.28-6

Параметры микросхем репрограммируемых ПЗУ с УФ-стиранием

  Обозн. ф/а Техн. Емк.Tва
нс
  Eп
  В
Iпо
мА
Iпх
мА
ВыхКорпус
К573РФ12708nЛИЗМОП  1К*8450+12/ 5%
+5/ 5%
-5/ 5%
 70
 45
 15
 3с.210Б.24-5
2120.24-9
2120.24-8
К573РФ2
С573РФ2
2716
2716
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
  2К*8
  2К*8
450
450
+5/ 5%
+5/10%
 80
110
 3с.
3с.
210Б.24-5
2120.24-12
К573РФ3
К573РФ3А
Б/А
Б/А
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
 4К*16
 4К*16
400
550
+5/ 5%
+5/ 5%
 85
 85
 3с.
3с.
210Б.24-5
210Б.24-5
К573РФ4А
К573РФ4Б
Б/А
Б/А
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
  8К*8
  8К*8
300
450
+5/ 5%
+5/ 5%
 70
 70
 3с.
3с.
2121.28-5
2121.28-5
К573РФ52716nЛИЗМОП  2К*8450+5/ 5%100 203с.210Б.24-5
К573РФ6А
К573РФ6Б
2764
2764
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
  8К*8
  8К*8
300
450
+5/ 5%
+5/ 5%
120
120
 50
 50
3с.
3с.
2121.28-6
2121.28-6
К573РФ727256nЛИЗМОП 32К*8300+5/ 5%120 3с.2121.28-6
К573РФ7127128nЛИЗМОП 16К*8300+5/ 5%120 3с.2121.28-6
К573РФ8А
К573РФ8Б
К573РФ8В
27256
27256
27256
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
nЛИЗМОП
 32К*8
 32К*8
 32К*8
250
300
350
+5/ 5%
+5/ 5%
+5/ 5%
125
125
125
 50
 50
 50
3с.
3с.
3с.
2121.28-6
2121.28-6
2121.28-6
C573РФ9 nЛИЗМОП128К*8350+5/ 5%110 3с.2121.28-6
C573РФ91 nЛИЗМОП 64К*8350+5/ 5%110 3с.2121.28-6
C573РФ93 nЛИЗМОП128К*4350+5/ 5%110 3с.2121.28-6
573РФ10
КМ573РФ10
M8755
M8755
nЛИЗКМОП
nЛИЗКМОП
  2К*8
  2К*8
450
450
+5/10%
+5/ 5%
 30
 30
  5
  5
3с.
3с.
2123.40-12
2123.40-12
КС1626РФ1А
КС1626РФ1Б
27C64-20
27C64-20
КМОП
КМОП
  8К*8
  8К*8
200
300
+5/10%
+5/10%
 30
 30
  1
  1
3с.
3с.
2121.28-13
2121.28-13
М1821РФ55M8755AnЛИЗКМОП  2К*8450+5/  3с.    .40

Параметры микросхем электрически перепрограммируемых ПЗУ

  Обозн.  ф/аТехн.Емк.Tва
нс
  Eп
  В
Iпо
мА
Iпх
мА
ВыхКорпус
КР558РР1BORAM-6000pМНОП256*85000+12/5%
 +5/5%
    405.24-7
КР558РР2А
КР558РР2Б
HN48016
HN48016
nМНОП
nМНОП
 2К*8
 2К*8
 350
 700
 +5/5%
 +5/5%
100
100
 3с.
3с.
 405.24-7
 405.24-7
КМ558РР3Б/АnМНОП 8К*8 430 +5/5% 80 203с.2121.28-6
КР558РР4А
КР558РР4Б
IMS3630
IMS3630
nМНОП
nМНОП
 8К*8
 8К*8
 300
 400
 +5/5%
 +5/5%
 90
 90
 3с.
3с.
2121.28-5
2121.28-5
К573РР2
КС573РР2
КС573РР2А
2816nМНОП
nМНОП
nМНОП
 2К*8
 2К*8
 2К*8
 350
 350
 350
 +5/5%
 +5/5%
 +5/5%
110
110
110
 55
 55
 55
3с.
3с.
3с.
2120.24-1
2120.24-16
2120.24-16
КР1601РР1ER2401pМНОП 1К*4 900-12/5%
 +5
 40 153с.2120.24-3
КР1601РР2NC7010 512*21200   3с.    .24-
КР1601РР3Б/АpМНОП 2К*8 600-12/5%
 +5
 40 3с.2121.28-5
КМ1609РР12816nМНОП 2К*8 350 +5/5% 90 353с.2120.24-1
КМ1609РР2А
КМ1609РР2Б
2864A
2864A
nМОП
nМОП
 8К*8
 8К*8
 300
 450
 +5/5%
 +5/5%
100
100
 60
 60
3с.
3с.
2121.28-6
2121.28-6
КМ1609РР3А
КМ1609РР3Б
X2864AL-25
X2864AL-25
nМОП
nМОП
 8К*8
 8К*8
 250
 450
 +5/5%
 +5/5%
100
100
 40
 40
3с.
3с.
2121.28-6
2121.28-6
КР1611РР1А
КР1611РР1Б
Б/А
Б/А
nМНОП
nМНОП
 8К*8
 8К*8
 300
 450
 +5/5%
 +5/5%
130
130
 60
 60
3с.
3с.
2121.28-5
2121.28-5
КР1613РР1АER3400  1К*4         .22-
К1624РР1АБ/АnМНОП32К*8 400 +5/5% 80 203с.4119.28-6
КР1801РР1БnМНОП4К*16 550 +5/5% 85 403с. 239.24-1

Параметры микросхем программируемой логики (ПЛМ)

  Обозн.  ф/аТехнTва
нс
  Eп
  В
Iпо
мА
Вых.КорпусПримечание
556РТ1
Р556РТ1
КР556РТ1
S82S101
S82S101
N82S101
ТТЛШ
ТТЛШ
ТТЛШ
 50
 50
 70
+5
+5
+5
160
160
160
ОК
ОК
ОК
4119.28-1
2121.28-1
2121.28-1
16 входов, 8 выходов, 48произв.
556РТ2
Р556РТ2
КР556РТ2
S82S100
S82S100
N82S100
ТТЛШ
ТТЛШ
ТТЛШ
 50
 50
 50
+5
+5
+5
200
200
200
3с.
3с.
3с.
4119.28-1
2121.28-1
2121.28-1
16 входов, 8 выходов, 48произв.
556РТ3Б/АТТЛШ 60+52004119.28-116 вх. 8 вых. 48 произв.
КР556РТ21
КР556РТ21А
N82S105A
N82S105A
ТТЛШ
ТТЛШ
 30
 20
+5
+5
180
180
3с.
3с.
2121.28-1
2121.28-1
секвенсер
секвенсер
КР556РТ22N82S167ТТЛШ 20+51803с.239.24-2 —
583РТ1110+5/10%1603с.429.42-120 вх.18 вых
48 произв.
КМ1556ХЛ8PAL16L8ТТЛШ 40+52003с.2140.20-416 вх., 8 вых., 64произв.
КМ1556ХП4PAL16R4ТТЛШ 40+52003с.2140.20-416 вх., 8 вых., 64произв.
КМ1556ХП6PAL16R6ТТЛШ 40+52003с.2140.20-416 вх., 8 вых., 64произв.
КМ1556ХП8PAL16R8ТТЛШ 25+52003с.2140.20-416 вх., 8 вых., 64произв.
КР1656РП2  50+5/5%1703с.2121.28-116*8*48

Параметры микросхем FIFO

Обозн.ф/аТехнTва
нс
Eп
В
Iпо
мА
ВыхКорпусЕмкость
К531РУ10SN74S225ТТЛШ10Мгц+5 3с.2140.20-116*5
КМ536ИР2F3341    ….20-64*4
К1002ИР1CD40105BКМОП1.8Мгц+5 3с.….24-32*8
КР1517ИР3674011ТТЛШ55+51503с.2103.16-864*4
555РУ12SN74LS224ТТЛШ92+5155 2103.16-816*4


Подписаться
Уведомить о

0 комментариев
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии
Top